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Main Title: Analyse und Optimierung von AlGaN/GaN-HEMTs in der leistungselektronischen Anwendung
Translated Title: Analysis and Optimization of AlGaN/GaN-HEMTs in Power Electronics Applications
Author(s): Böcker, Jan
Advisor(s): Dieckerhoff, Sibylle
Referee(s): Kaminski, Nando
Würfl, Joachim
Granting Institution: Technische Universität Berlin
Type: Doctoral Thesis
Language Code: de
Abstract: Die Leit- und Schaltverluste eines Leistungshalbleiters haben nach wie vor einen entscheidenden Einfluss auf die Effizienz und die erreichbare Leistungsdichte eines Umrichters. Aktuell zeigen sich AlGaN/GaN-HEMTs vor allem durch ihre hohen Schaltgeschwindigkeiten bei gleichzeitig ausgezeichneten Leiteigenschaften als aussichtsreiche Kandidaten für eine Reduktion dieser Verluste. In dieser Arbeit werden neuartige GaN-Transistoren charakterisiert und für leistungselektronische Anwendungen optimiert. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der gegenseitigen Anpassung der Halbleitertechnologie und der Schaltungsumgebung.
Conduction and switching losses of power semiconductors still have decisive influence on the efficiency and achievable power density of a converter. AlGaN/GaN HEMTs are promising reduction of these losses due to their very high switching speeds and excellent conductivity. In this work novel GaN transistors are characterized and optimized for power electronic applications. The focus is on the mutual adaptation of the semiconductor technology and the circuit environment.
URI: https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/10783
http://dx.doi.org/10.14279/depositonce-9678
Exam Date: 16-Dec-2019
Issue Date: 2020
Date Available: 21-Apr-2020
DDC Class: 620 Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Subject(s): Leistungselektronik
GaN-HEMT
Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter
power electronics
high electron mobility transistor
wide bandgap semiconductor
converter
License: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Series: Elektrische Energietechnik an der TU Berlin
Series Number: 11
EISSN: 2367-377X
ISBN: 978-3-7983-3142-6
Notes: Gedruckt erschienen im Universitätsverlag der TU Berlin, ISBN 978-3-7983-3141-9 (ISSN 2367-3761)
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