Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.14279/depositonce-1922
Main Title: X-ray in-situ study of copper electrodeposition on UHVprepared GaAs(001) surfaces
Translated Title: In-situ Röntgenuntersuchung der elektrochemischen Abscheidung von Kupfer auf GaAs(001)
Author(s): Gründer, Yvonne
Advisor(s): Thomsen, Christian
Granting Institution: Technische Universität Berlin, Fakultät II - Mathematik und Naturwissenschaften
Type: Doctoral Thesis
Language: English
Language Code: en
Abstract: Die physikalischen und chemischen Eigenschaften von Halbleiter/Elektrolyt Grenzflächen sind für technische Anwendungen und für das fundamentale Verständnis des Ladungsaustauschs an Grenzflächen von großem Interesse. Für die industrielle Metallbeschichtung ist die elektrochemische Abscheidung eine attraktive Alternative zur klassischen Metallbeschichtung im UHV. Oft ist eine bessere Kontrolle des Abscheideprozesses möglich. Oberflächenröntgenbeugung (SXRD) ist ideal für die Untersuchung der elektrochemischen Metallabscheidung auf atomarer Ebene, da verdeckte Grenzflächen erreichbar sind. Für diese Arbeit wurde ein besonderer Versuchsaufbau zur in-situ Untersuchung elektrochemischer Grenzflächen benutzt und verbessert. Dieser Aufbau erlaubt die UHV-Präparation verschiedener Terminierungen (Arsen- oder Gallium-reich) der GaAs(001) Oberfläche und deren anschließende Charakterisierung mit SXRD im UHV, in Inertgas bei Luftdruck und in Elektrolyt unter Potentialkontrolle, ohne zwischendurch Luft ausgesetzt zu sein. Die GaAs(001)-Oberflächen wurden in der Gruppe von B.O. Fimland an der Universität von Trondheim mit MBE präpariert und anschließend mit amorphem Arsen bedeckt. Dies verhindert die Oxidation der reinen GaAs(001)-Oberfläche und ermöglicht den Transport der Proben in Luft. Glatte, geordnete GaAs(001) Oberflächen können anschließend durch das Abdampfen der Arsenschicht im UHV erhalten werden. Eine erste Untersuchung der As-beschichteten GaAs(001)-Oberfläche mit AFM und SXRD wurde durchgeführt. Die verdeckte Galliumarsenidoberfläche ist nicht bulk-terminiert wie die gemessenen CTR’s enthüllen. Für die elektrochemische Metallabscheidung wurden (2x4) und (4x2) rekonstruierte GaAs(001) Oberflächen präpariert. Diese Oberflächen wurden im UHV mit STM, LEED und mit SXRD untersucht. Die Oberflächen sind glatt, weisen jedoch eine höhere Unordnung als MBE präparierte rekonstruierte GaAs(001)-Oberflächen auf. Die anschließende Untersuchung dieser Oberflächen in Stickstoff bei Luftdruck offenbart die Aufhebung der Rekonstruktion. Jedoch sind die Oberflächen nicht bulk-terminiert wie aus den CTR’s gefolgert werden kann. Diese schrittweise Charakterisierung der Proben im UHV und in Stickstoff ermöglicht eine bessere Kenntnis der Ausgangsoberfläche und deren Einfluss auf die Eigenschaften des elektrochemisch abgeschiedenen Kupfers. Kupfer wächst epitaktisch und ist bezüglich des GaAs-Gitters gedreht und verkippt. Insgesamt konnten acht symmetrisch identische Domänen identifiziert werden. Kupfer wächst in Inseln und ist durch {111}-Facetten begrenzt. Die Rotations- und Verkippungswinkel des Kupfergitters bezüglich des GaAs-Gitters hängen von der Terminierung der Ausgangsoberfläche jedoch nicht vom Abscheidepotential ab. Die Abhängigkeit der Qualität der Kupferepitaxie vom Abcheidepotential und von der Oberflächenterminierung wurde untersucht. Die Mosaizität des Verkippungswinkels und die Änderung der Kupfergitterkonstanten hängen vom Nukleationspotential ab. Weitere Untersuchungen der Cu/GaAs-Grenzfläche weisen auf Diffusionsprozesse an der Grenzfläche hin. SXRD-Messungen der elektrochemischen Abscheidung von Kupfer auf chemisch geätzte GaAs-Oberflächen wurde zum Vergleich durchgeführt. Zusätzlich wurden GaAs Oberflächen, die durch die potentialkontrollierte Auflösung der amorphen Arsenschicht von As/GaAs Wafern erhalten wurden, mit AFM untersucht. Auch eine anschließende ex-situ Studie des elektrochemisch auf solche Oberflächen abgeschiedenen Kupfers wurde untersucht.
The physics and chemistry of semiconductor/electrolyte interfaces are of major interest for technological applications and for the understanding of the charge transfer process in fundamental research. For the metalization process in semiconductor industry electrochemical deposition is an attractive alternative beside the classical (and expensive) method of vacuum deposition. Often a better control of the deposition process is possible. Surface X-Ray diffraction (SXRD) is ideal for the investigation of electrochemical metal deposition on the atomic scale, as also buried interfaces are accessible. X-ray in-situ studies can give detailed structural information of the surface and the region close to it. For this work a unique setup for in-situ electrochemical studies was employed and improved. This setup permits UHV preparation of the GaAs(001) surface with a defined surface termination (arsenic-rich or gallium-rich) and its characterization by SXRD in UHV, under ambient pressure in inert gas and in electrolyte under potential control without passing through air. The GaAs(001) surfaces were prepared by MBE and capped by amorphous arsenic at the University of Trondheim by the group of B.O. Fimland. This permitted to ship them through ambient air. Afterwards smooth well defined GaAs(001) surfaces could be recovered by thermal annealing in UHV. A first investigation of the arsenic capped sample was done by atomic force microscopy (AFM) and Surface X-Ray Diffraction (SXRD). The non bulk like termination of the arsenic buried GaAs(001) surface was revealed. For the electrochemical metal deposition, arsenic terminated (2x4) reconstructed and gallium terminated (4x2) reconstructed GaAs(001) surfaces were employed. These surfaces were characterized by STM, LEED and a first time by SXRD. The surfaces are smooth, however, a higher degree of disorder than for MBE prepared reconstructed GaAs(001) is found. After exposure of the sample to nitrogen, the surfaces were then again studied by SXRD. These two steps characterizing the bare GaAs(001) surfaces permitted us to get a better knowledge of the starting surface and its influence on the later electrodeposited copper. At ambient pressure both reconstructions are lifted, but the surface is not bulk-like terminated as can be deduced from the crystal truncation rods. Epitaxial copper clusters grow upon electrodeposition on the UHV prepared GaAs(001) surface. The copper lattice is rotated and inclined with respect to the GaAs substrate lattice, leading to eight symmetry equivalent domains. The influence of the surface termination as well as the nucleation potential on the structure of the electrodeposited copper was investigated. The tilt and rotation angles do not depend on the deposition potential but a small influence of the surface termination (Ga-rich or As-rich) could be found. The quality dependence of the copper epitaxy depends on the nucleation potential and on the surface termination was investigated. The variation of the copper lattice constant and the out-of-plane mosaicity of the copper were found to depend on the nucleation potential. Further investigation of the Cu/GaAs interface revealed interdiffusion processes at the interface. Comparative studies of copper deposited on chemical etched (resulting rough) surfaces by SXRD revealed a less well defined epitaxy. In addition the surfaces obtained by potential controlled stripping from an arsenic capped wafer were investigated by AFM. The copper deposition on a such obtained surface was studied ex-situ by AFM.
URI: urn:nbn:de:kobv:83-opus-19336
http://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/2219
http://dx.doi.org/10.14279/depositonce-1922
Exam Date: 2-Jun-2008
Issue Date: 30-Jul-2008
Date Available: 30-Jul-2008
DDC Class: 530 Physik
Subject(s): Elektrochemie
GaAs
Halbleiter
Kupferabscheidung
Röntgenbeugung
Electrochemistry
Semiconductor
X-ray diffraction
Creative Commons License: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.0/
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