Optische Eigenschaften von Exzitonen in InGaN-Quantenstrukturen

Bartel, Til Pierre

Optische Eigenschaften von Exzitonen in InGaN-Quantenstrukturen

dc.contributor.advisor	Hoffmann, Axel	en
dc.contributor.advisor	Thomsen, Christian	en
dc.contributor.author	Bartel, Til Pierre	en
dc.contributor.grantor	Technische Universität Berlin, Fakultät II - Mathematik und Naturwissenschaften	en
dc.date.accessioned	2015-11-20T17:56:36Z
dc.date.available	2008-03-17T12:00:00Z
dc.date.issued	2008-03-17
dc.date.submitted	2008-03-17
dc.description.abstract	Ziel dieser Arbeit ist der Aufbau eines μ-PL Messstandes zur ortsaufgelösten Untersuchung der optischen Eigenschaften von Exzitonen in InGaN-Quantenpunkt-Strukturen. An den InGaN-Proben konnten auflösungsbeschränkte Emissionslinien aus einzelnen Quantenpunkten nachgewiesen und ihr zeitliches Verhalten untersucht werden. Die Quantenpunkt-Linien zeigen ein mono-exponentielles Abklingen. Es wurde, selbst für Quantenpunkte mit ahnlichen Übergangsenergien, eine grosse Streuung der Zeitkonstanten zwischen 0,4 ns und 1,6 ns beobachtet. Dies wird durch die unterschiedliche Größe, Potentialtiefe und Form der Quantenpunkte erklärt, da diese verschiedene Wellenfunktionsüberlapps und Lokalisierungsenergien aufweisen. Das multi-exponentielle Abklingen, das für das QP-Ensemble beobachtet wurde, ergibt sich demnach aus der Überlagerung des mono-exponentiellen Abklingens mit verschiedenen Zeitkonstanten der einzelnen Quantenpunkte. Es uns damit gelungen, das transiente Verhalten des QP-Ensembles direkt mit der Unordnung des InGaN Quantenpunkt-Systems zu erklären. Des Weiteren wurden am Quantenpunkt-Ensemble temperaturabh¨angige und zeitaufgelöste Messungen durchgeführt. Es wurde die Relevanz von Transferprozessen und Umverteilung zwischen Quantenpunkten mit unterschiedlicher Potentialtiefe demonstriert. Bei tiefen Temperaturen geschieht dies durch Tunneln der Ladungsträger von flachen Quantenpunkten in tiefere Lokalisierungszentren, während bei höheren Temperaturen die thermische Aktivierung der dominante Prozess ist. Es wurden Lokalisierungsenergien zwischen 20 meV und 80 meV gemessen.	de
dc.identifier.uri	urn:nbn:de:kobv:83-opus-18120
dc.identifier.uri	https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/2105
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.14279/depositonce-1808
dc.language	German	en
dc.language.iso	de	en
dc.rights.uri	http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/	en
dc.subject.ddc	530 Physik	en
dc.subject.other	Exziton	de
dc.subject.other	InGaN	de
dc.subject.other	MicroPL	de
dc.subject.other	PL	de
dc.subject.other	InGaN	en
dc.subject.other	PL	en
dc.subject.other	Quantum dots	en
dc.subject.other	Time resolved	en
dc.title	Optische Eigenschaften von Exzitonen in InGaN-Quantenstrukturen	de
dc.title.translated	Optical Properties of Excitons in InGaN Quantumstructures	en
dc.type	Master Thesis	en
dc.type.version	publishedVersion	en
tub.accessrights.dnb	free	*
tub.affiliation	Fak. 2 Mathematik und Naturwissenschaften::Inst. Festkörperphysik	de
tub.affiliation.faculty	Fak. 2 Mathematik und Naturwissenschaften	de
tub.affiliation.institute	Inst. Festkörperphysik	de
tub.identifier.opus3	1812
tub.identifier.opus4	1726
tub.publisher.universityorinstitution	Technische Universität Berlin	en

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