In-situ Wachstumsuntersuchungen zur selbstorganisierten Ausbildung von InAs-Quantenpunkten auf GaAs(001)-Oberflächen

Steimetz, Elisabeth

In-situ Wachstumsuntersuchungen zur selbstorganisierten Ausbildung von InAs-Quantenpunkten auf GaAs(001)-Oberflächen

dc.contributor.advisor	Richter, Wolfgang	en
dc.contributor.author	Steimetz, Elisabeth	en
dc.contributor.grantor	Technische Universität Berlin, Fakultät II - Mathematik und Naturwissenschaften	en
dc.date.accepted	2002-02-01
dc.date.accessioned	2015-11-20T15:09:51Z
dc.date.available	2002-07-16T12:00:00Z
dc.date.issued	2002-07-16
dc.date.submitted	2002-07-16
dc.description.abstract	In dieser Arbeit werden optische Methoden (Reflexions-Anisotropie Spektroskopie (RAS) und Spektroskopische Ellipsometrie (SE)) im Hinblick auf ihre Eignung zur Kontrolle der Formierung von InAs-Quantenpunkten auf GaAs während des MOVPE-Wachstums eingesetzt. Hierbei werden alle Teilphasen der Herstellung von Quantenpunktschichten (Wachstum der 2D-Benetzungsschicht, Relaxation und Übergang zum 3D-Wachstum, Reifungsprozesse der InAs-Nanostrukturen und schließlich Überwachsen der Gesamtstruktur mit der GaAs-Deckschicht) untersucht. Ergebnisse dieser Arbeit sind: auch in der MOVPE steht in Analogie zum RHEED in der MBE, mit RAS eine Methode zur Verfügung, mit welcher der Übergang im Wachstumsmodus direkt beobachtet und exakt bestimmt werden kann. Veränderungen der Oberflächenstöchiometrie sind mittels RAS sowohl während des 2D-Wachstums als auch im 3D-Inselmodus zugänglich (wo RHEED keine Information mehr liefert). Bei einer Photonenenergie von 2.6 eV beobachtet man in den RAS-Spektren InAs-schichtdickenabhängige Rekonstruktionsänderungen, die zu einer in-situ Bestimmung der 2D-Schichtdicke, einer genauen Bestimmung des Zeitpunktes der Inselbildung und der teilweisen Auflösung der Benetzungsschicht zugunsten der Inseln, genutzt werden kann. Gleichzeitige Ellipsometrie-Messungen liefern Informationen über Morphologieänderungen und sind somit vor allem zur Kontrolle des 2D-3D-Überganges und der Replanarisierung beim Überwachsen mit GaAs geeignet. Des Weiteren werden Untersuchungen zur Inselreifung und zum Einfluß der Arsen-Quelle auf die Inselbildung durchgeführt. Auch die Indiumsegregation sowohl während des Überwachsens mit GaAs als auch in Wachstumsunterbrechungen bei nur partiell bedeckten Inseln kann dank der Stöchiometrie-Sensitivität im RAS-Signal beobachtet werden. Die Replanarisierung der Oberfläche beim Überwachsen der Inseln mit einer GaAs-Deckschicht kann anhand optischer in-situ Verfahren optimiert werden. Beim Wachstum von Quantenpunkt-Stapeln werden anhand der in-situ Untersuchungen verbesserte Wachstumsprozeduren entwickelt, die es erlauben, zu große Inseln nachträglich aufzulösen und somit die Inselgröße zu homogenisieren. Die gute optische und strukturelle Qualität der so hergestellten Schichten wird in ex-situ PL- und TEM-Aufnahmen verifiziert.	de
dc.identifier.uri	urn:nbn:de:kobv:83-opus-4549
dc.identifier.uri	https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/849
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.14279/depositonce-552
dc.language	German	en
dc.language.iso	de	en
dc.rights.uri	http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/	en
dc.subject.ddc	530 Physik	en
dc.subject.other	Ellipsometrie	de
dc.subject.other	GaAs	de
dc.subject.other	In-situ Überwachung	de
dc.subject.other	InAs	de
dc.subject.other	Quantenpunkte	de
dc.subject.other	RAS	de
dc.subject.other	Ellipsometry	en
dc.subject.other	GaAs	en
dc.subject.other	In-situ monitoring	en
dc.subject.other	InAs	en
dc.subject.other	Quantum dots	en
dc.subject.other	RAS	en
dc.title	In-situ Wachstumsuntersuchungen zur selbstorganisierten Ausbildung von InAs-Quantenpunkten auf GaAs(001)-Oberflächen	de
dc.title.translated	In-situ characterization of self organized formation of InAs quantum dots on GaAs(001) surfaces	en
dc.type	Doctoral Thesis	en
dc.type.version	publishedVersion	en
tub.accessrights.dnb	free	*
tub.affiliation	Fak. 2 Mathematik und Naturwissenschaften	de
tub.affiliation.faculty	Fak. 2 Mathematik und Naturwissenschaften	de
tub.identifier.opus3	454
tub.identifier.opus4	459
tub.publisher.universityorinstitution	Technische Universität Berlin	en

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