Phasenrauscharme monolithische Mikrowellenoszillatoren mit SiGe-HBTs

Kuhnert, Holger

Phasenrauscharme monolithische Mikrowellenoszillatoren mit SiGe-HBTs

dc.contributor.advisor	Heinrich, Wolfgang	en
dc.contributor.author	Kuhnert, Holger	en
dc.contributor.grantor	Technische Universität Berlin, Fakultät IV - Elektrotechnik und Informatik	en
dc.date.accepted	2003-08-28
dc.date.accessioned	2015-11-20T15:26:00Z
dc.date.available	2003-09-04T12:00:00Z
dc.date.issued	2003-09-04
dc.date.submitted	2003-09-04
dc.description.abstract	Thema dieser Arbeit ist der Entwurf phasenrauscharmer monolithischer Mikrowellenoszillatoren in Silizium-Germanium-Technologie. Anhand von monolithisch integrierten Oszillatoren (MMIC Oszillatoren), vom Autor im Rahmen diverser Projekte und Industrieaufträge am Ferdinand-Braun-Institut (FBH) in Schaltung und Layout entworfen, wird die Modellierung und der Schaltungsentwurf auf SiGe im Mikrowellenbereich exemplarisch gezeigt. Damit liefert die Arbeit einen Beitrag zur Etablierung dieser Technologie im Mikrowellenbereich. Die Schaltungsbeispiele umfassen unter anderem einen 25 GHz SiGe MMIC Oszillator, der den derzeitigen internationalen Rekord bei der Ausgangsleistung auf niederohmigem Siliziumsubstrat in diesem Frequenzbereich hält (Stand 2002). Um Technologievergleiche zu ermöglichen, wird ein GaAs-HBT-MMIC Oszillator herangezogen. Eine der wichtigsten Kenngrößen eines Oszillators ist sein Phasenrauschen. Derzeit (Stand 2002) haben alle kommerziellen Schaltungssimulatoren Probleme, das Phasenrauschen zuverlässig vorauszusagen. Dem Schaltungsentwickler fehlt damit eine umfassende Möglichkeit, während der Entwurfsphase einen der wichtigsten Parameter zu optimieren. Um diese Situation zu verbessern, wurde in der Arbeit ein modifiziertes Verfahren zur Simulation des Phasenrauschens von Oszillatoren entwickelt und anhand von Vergleichen mit gemessenen Phasenrauschverläufen verifiziert.	de
dc.identifier.uri	urn:nbn:de:kobv:83-opus-5915
dc.identifier.uri	https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/987
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.14279/depositonce-690
dc.language	German	en
dc.language.iso	de	en
dc.rights.uri	http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/	en
dc.subject.ddc	620 Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten	en
dc.subject.other	Mikrowellenoszillatoren	de
dc.subject.other	MMIC	de
dc.subject.other	Monolithisch	de
dc.subject.other	Niederohmiges Substrat	de
dc.subject.other	Phasenrauschen	de
dc.subject.other	SiGe	de
dc.subject.other	Silizium Germanium	de
dc.subject.other	Low resistivity substrate	en
dc.subject.other	Microwave oscillators	en
dc.subject.other	Phase-noise	en
dc.title	Phasenrauscharme monolithische Mikrowellenoszillatoren mit SiGe-HBTs	de
dc.type	Doctoral Thesis	en
dc.type.version	publishedVersion	en
tub.accessrights.dnb	free	*
tub.affiliation	Fak. 4 Elektrotechnik und Informatik	de
tub.affiliation.faculty	Fak. 4 Elektrotechnik und Informatik	de
tub.identifier.opus3	591
tub.identifier.opus4	597
tub.publisher.universityorinstitution	Technische Universität Berlin	en

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